BJT vs FET
Hem BJT (Bipolar Kavşak Transistörü) hem de FET (Alan Etkili Transistör) iki tip transistördür. Transistör, küçük giriş sinyallerindeki küçük değişiklikler için büyük ölçüde değişen bir elektrik çıkış sinyali veren elektronik bir yarı iletken cihazdır. Bu kaliteden dolayı cihaz hem amplifikatör hem de anahtar olarak kullanılabilir. Transistör 1950'lerde piyasaya sürüldü ve BT'nin gelişimine katkısı düşünüldüğünde 20. yüzyılın en önemli buluşlarından biri olarak kabul edilebilir. Transistör için farklı mimari türleri test edilmiştir.
Bipolar Kavşak Transistörü (BJT)
BJT iki PN bağlantısından (p tipi yarı iletken ve n tipi yarı iletken bağlanarak yapılan bir bağlantı) oluşur. Bu iki bağlantı, üç yarı iletken parçanın P-N-P veya N-P-N sırasına göre bağlanmasıyla oluşturulur. Orada PNP ve NPN olarak bilinen iki tip BJT mevcuttur.
Bu üç yarı iletken parçaya üç elektrot bağlanır ve ortadaki kurşun 'taban' olarak adlandırılır. Diğer iki kavşak "yayıcı" ve "toplayıcı"dır.
BJT'de, büyük toplayıcı emitör (Ic) akımı, küçük baz emitör akımı (IB) tarafından kontrol edilir ve bu özellik, amplifikatörler veya anahtarlar tasarlamak için kullanılır. Bunun için mevcut tahrikli bir cihaz olarak kabul edilebilir. BJT çoğunlukla amplifikatör devrelerinde kullanılır.
Alan Etkili Transistör (FET)
FET, "Gate", "Source" ve "Drain" olarak bilinen üç terminalden oluşur. Burada drenaj akımı, kapı voltajı tarafından kontrol edilir. Bu nedenle FET'ler voltaj kontrollü cihazlardır.
Kaynak ve boş altma için kullanılan yarı iletken tipine bağlı olarak (FET'te her ikisi de aynı yarı iletken tipinden yapılmıştır), bir FET bir N kanalı veya P kanal cihazı olabilir. Akım akışını boş altmak için kaynak, kapıya uygun bir voltaj uygulanarak kanal genişliği ayarlanarak kontrol edilir. Tükenme ve geliştirme olarak bilinen kanal genişliğini kontrol etmenin iki yolu da vardır. Bu nedenle FET'ler, tükenme veya geliştirme modunda N kanalı veya P kanalı gibi dört farklı tipte mevcuttur.
MOSFET (Metal Oksit Yarı İletken FET), HEMT (Yüksek Elektron Hareketli Transistör) ve IGBT (Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör) gibi birçok FET türü vardır. Nanoteknolojinin gelişmesiyle ortaya çıkan CNTFET (Carbon Nanotube FET), FET ailesinin en son üyesidir.
BJT ve FET arasındaki fark
1. BJT temelde akımla çalışan bir cihazdır, ancak FET voltaj kontrollü bir cihaz olarak kabul edilir.
2. BJT'nin terminalleri emiter, toplayıcı ve taban olarak bilinirken FET kapı, kaynak ve drenajdan oluşur.
3. Yeni uygulamaların çoğunda, BJT'lerden ziyade FET'ler kullanılır.
4. BJT, iletim için hem elektronları hem de delikleri kullanır, oysa FET bunlardan yalnızca birini kullanır ve bu nedenle tek kutuplu transistörler olarak adlandırılır.
5. FET'ler, BJT'lerden daha verimlidir.
