NPN vs PNP Transistör
Transistörler, elektronikte kullanılan 3 terminalli yarı iletken cihazlardır. Transistörler dahili çalışma ve yapıya göre Bipolar Kavşak Transistörü (BJT) ve Alan Etkili Transistör (FET) olmak üzere iki kategoriye ayrılır. BJT'ler 1947'de John Bardeen ve W alter Brattain tarafından Bell Telefon Laboratuvarlarında geliştirilen ilk cihazlardı. PNP ve NPN, yalnızca iki tip bipolar bağlantı transistörüdür (BJT).
BJT'lerin yapısı, ince bir P-tipi veya N-tipi yarı iletken malzeme tabakasının zıt tipte bir yarı iletkenin iki tabakası arasına sıkıştırılacağı şekildedir. Sandviç katman ve iki dış katman, iki yarı iletken bağlantı oluşturur, bu nedenle Bipolar bağlantı Transistörü adı verilir. Ortasında p-tipi yarı iletken malzeme ve yanlarda n-tipi malzeme bulunan bir BJT, NPN tipi transistör olarak bilinir. Benzer şekilde, ortasında n-tipi malzeme ve yanlarda p-tipi malzeme bulunan bir BJT, PNP transistörü olarak bilinir.
Orta katmana taban (B), dış katmanlardan birine kollektör (C), diğer katmana ise emitör (E) denir. Bağlantılar, baz – emitör (B-E) bağlantısı ve baz-toplayıcı (B-C) bağlantısı olarak adlandırılır. Yayıcı yüksek oranda katkılı iken, taban hafifçe katkılıdır. Toplayıcı, emitörden nispeten daha düşük bir doping konsantrasyonuna sahiptir.
Çalışırken, genellikle BE bağlantısı ileri yönlüdür ve BC bağlantısı çok daha yüksek bir voltajla ters yönlüdür. Yük akışı, bu iki bağlantı boyunca taşıyıcıların difüzyonundan kaynaklanır.
PNP Transistörleri hakkında daha fazla bilgi
Bir PNP transistörü, nispeten düşük bir donör katışkı konsantrasyonuna sahip n-tipi bir yarı iletken malzemeden yapılmıştır. Verici, alıcı safsızlığının daha yüksek konsantrasyonunda katkılanır ve toplayıcıya, vericiden daha düşük bir katkılama seviyesi verilir.
Çalışırken, BE bağlantısı, tabana daha düşük bir potansiyel uygulanarak ileri kutuplanır ve BC bağlantısı, toplayıcıya çok daha düşük voltaj kullanılarak ters kutuplanır. Bu konfigürasyonda, PNP transistörü bir anahtar veya amplifikatör olarak çalışabilir.
PNP transistörünün çoğunluk yük taşıyıcısı olan delikler nispeten düşük hareketliliğe sahiptir. Bu, daha düşük bir frekans yanıtı oranı ve akım akışında sınırlamalar ile sonuçlanır.
NPN Transistörler hakkında daha fazla bilgi
NPN tipi transistör, nispeten düşük doping seviyesine sahip bir p-tipi yarı iletken malzeme üzerine inşa edilmiştir. Verici, vericiden çok daha yüksek bir seviyede bir donör safsızlığı ile katkılanır ve toplayıcı, emitörden daha düşük bir seviyede katkılanır.
NPN transistörünün polarlama konfigürasyonu, PNP transistörünün tersidir. Gerilimler tersine çevrilir.
NPN tipinin çoğunluk yük taşıyıcısı, deliklerden daha yüksek hareketliliğe sahip elektronlardır. Bu nedenle, NPN tipi bir transistörün tepki süresi, PNP tipinden nispeten daha hızlıdır. Bu nedenle, NPN tipi transistörler, yüksek frekansla ilgili cihazlarda en yaygın olarak kullanılanlardır ve PNP'ye göre üretim kolaylığı, onu çoğunlukla iki tipte kullanılmasını sağlar.
NPN ve PNP Transistör arasındaki fark nedir?
